もはやビジネスに国境はなく、そこにはいろんな異なる業界があるだけ。英語で自分のビジネスを紹介する、会社案内やカタログを英語で翻訳してみる、業界の動向を英語で深く語る―そんなとき欠かせないのが専門用語。ここでは、エレクトロニクス関係(半導体関連)の英語用語を集めています。





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Last update July 3, 2015


Last update July 3, 2015

 あ―か行   さ―た行   は―ら行 

 半導体関連  Semiconductor

日本語 英語 備考
 あ―か行 
あくせぷた
アクセプタ
acceptor ホウ素など、P型半導体を作るために真性半導体に添加する価数の少ない物質。
いんじうむりん
インジウムリン
indium phosphide リン化インジウムのこと。インジウムとリンの化合物半導体で、発光ダイオード、半導体レーザなどの光系デバイスに利用される。元素記号は InP。
えぬがたはんどうたい
N型半導体
n-type (negative) semiconductor 電圧がかけられると伝導電子(自由電子)の移動によって電荷が運ばれる半導体。たとえば、シリコン(4価)の結晶に、それより価電子の多いリンやヒ素(5価)原子を加えることにより生成。
えねるぎーぎゃっぷ
エネルギーギャップ
energy gap バンドギャップに同じ。
えねるぎーじゅんい
エネルギー準位
energy level 電子は粒子であるとともに波でもあるという量子としてとらえた場合に説明できる概念。原子における電子軌道が持つエネルギーのことで、原子核に近い順からエネルギーが低い。電子の座席とたとえることができ、電子はエネルギー準位の低い軌道から占有していく。言い換えれば、軌道にある電子の取りうるエネルギーであり、量子であるため「とびとび」の値を取るのが特徴。
えねるぎーばんど
エネルギーバンド
energy band N 個の原子を集めて固体ができたときに、エネルギー準位が N 本に分裂、連続的に分布し幅を持ちバンド(帯)状になったものをいう。
かごうぶつはんどうたい
化合物半導体
compound semiconductor 2つ以上の原子がイオン結合により結合してできる半導体。陽イオンと陰イオンとの強い静電引力によって絶縁体となるが、組み合わせによっては、静電引力が弱く半導体となることを利用。III-V 族半導体、II-VI 族半導体がある。
かでんし
価電子
valence electron 原子内の最外殻の電子殻をまわっている電子のこと。最外殻電子とも。
かでんしたい
価電子帯
valence band 絶縁体や半導体において、価電子によって満たされたエネルギーバンドのこと。
がりうむひそ
ガリウムヒ素
gallium arsenide ヒ化ガリウムのこと。ガリウムと砒素の化合物半導体で、発光ダイオード、半導体レーザなどの光系デバイスに利用される。元素記号は GaAs。
きゃりあ
キャリア
(charge) carrier 電気の「運び屋」ということから、半導体中における伝導電子とホールを合わせてこう呼ぶ。電荷粒子、電荷担体、電荷キャリアとも。
きんしたい、きんせいたい
禁止帯、禁制帯
band gap バンドギャップに同じ。





日本語 英語 備考
 さ―た行 
さいがいかくでんし
最外殻電子
outermost electron 原子内の最外殻の電子殻をまわっている電子のこと。価電子とも。
しりこん
シリコン
silicon 半導体デバイスに使われる代表的な材料で、手軽に入手できることや結晶構造が他の物質より簡単といった理由から最もよく利用されている。原子記号はSi、原子番号は14。ケイ素とも。
じゅうまんたい
充満帯
filled band 絶縁体や半導体にのみ存在するもので、電子が存在できるバンドのうち、完全に電子が詰まっているバンドのこと。
しょうすうきゃりあ
少数キャリア
minority carrier N 型半導体中ではホール、P型半導体中では電子を指す。
しんせいはんどうたい
真性半導体
intrinsic semiconductor シリコンのような不純物をほとんど含まない高純度の半導体。このままでは電気伝導性が低いため、微量の添加物を混ぜて不純物半導体とする。
せいこう
正孔
(electron) hole ホールに同じ。
ぜつえんたい
絶縁体
insulator 電気を通しにくい性質を持つ物質の総称である。導体に対して、不導体ともいう。
せんい
遷移
transition 電子が光を吸収することによってエネルギーを手に入れ、より高いエネルギー準位へと移動したり、逆に光を発することでより低いエネルギー準位へと移動すること。
だいきぼしゅうせきかいろ
大規模集積回路
Large Scale Integrated circuit (LSI) 1000個から数万個程度の素子数が含まれている半導体デバイス。
たすうきゃりあ
多数キャリア
majority carrier N型半導体中では電子、P型半導体中ではホールを指す。単に「キャリア」と言った場合は、通常は多数キャリアを指す。
ちょうだいきぼしゅうせきかいろ
超大規模集積回路
Very Large Scale Integrated circuit (VLSI) 使われている素子数が10万〜150万個以上の集積回路を指す。超 LSIとも。
ちょうちょうだいきぼしゅうせきかいろ
超々大規模集積回路
Ultra Large Scale Integrated circuit (ULSI) 100万個から1000万個程度の素子数をもつ半導体デバイス。
でんかたんたい(きゃりあ)
電荷担体(キャリア)
(charge) carrier キャリアに同じ。
でんしかく
電子殻
electron shell 原子核を取り巻く電子軌道によって構成される殻。原子核に近い殻ほどエネルギーが低い。原子核に近いものから順に、K 殻、L 殻、M 殻、N 殻、O 殻、P 殻…と呼ばれ、それぞれ2個、8個、18個、32個… と2n2個の電子が入ることができる。すべての電子殻に電子が入った原子は非常に安定していてほとんど化学反応を起こさない。
でんしきどう
電子軌道
electron orbital 電子を波動的な性質として見た場合の電子の状態を表す波動の現象で、これらの電子軌道の集まりを電子殻という。s 軌道、p 軌道、d 軌道、f 軌道があり、殻によって数や構成が異なる。原子軌道とも。
でんしはいち
>電子配置
electron configuration 原子を構成している電子がどのような軌道に配置しているのかを示したもので、元素固有の性質を決定する。
でんどうたい
伝導帯
conduction band フェルミ準位の直上にあるエネルギー帯のことで、導体の場合は、一部に電子が詰まった状態で、電圧をかけることでここにいる自由電子が電荷を運び通電するが、絶縁体、半導体の場合は、電子がなく空の状態。
でんどうでんし
伝導電子
conduction electron 電気伝導を担う電子のこと。半導体においては伝導帯にある電子のこともこう呼び、「電子」イコール「伝導電子」の意味で使われる。自由電子とほぼ同じ意味。
でんりょくよう はんどうたいそし
電力用半導体素子
power (semiconductor) device パワーデバイスに同じ。
どうたい
導体
conductor 電気を通す物質のこと。電気伝導体とも。
どなー
ドナー
donor ヒ素やリンなど、N 型半導体を作るために真性半導体に添加する価数の多い物質。
どーぱんと
ドーパント
dopant 真性半導体に添加する不純物のことで、この不純物の注入により、N型半導体またはP型半導体が作られる。シリコンにヒ素またはリンを添加するとN型半導体、ホウ素の場合はP型半導体となる。
どーぴんぐ
ドーピング
doping 真性半導体に不純物を添加すること。

日本語 英語 備考
 は―ら行 
ぱわーでばいす
パワーデバイス
power (semiconductor) device 電力制御用に最適化されたパワーエレクトロニクスを支える電子部品。高電圧、大電流の制御、高周波動作が可能なものが多い。
はんどうたい
半導体
semiconductor 電気を通す「導体」と電気を通さない「絶縁体」の中間にある物質のことで、温度を上げたり、光を当てたりすることで伝導率が上がる性質を持つ。代表的なものとしてシリコン、ゲルマニウム、セレンがある。また、LSI などの集積回路など、半導体物質を利用して作られた半導体デバイスの総称でもある。
はんどうたいだいおーど
半導体ダイオード
semiconductor diode かっての二極真空管のダイオードに変わって、PN接合型などの半導体を使ったダイオード。現在では、単にダイオードとも呼ぶ。
はんどうたいれーざー
半導体レーザー
semiconductor laser レーザーダイオードに同じ。
ばんどぎゃっぷ
バンドギャップ
band gap バンド構造における電子に占有された最も高いエネルギーバンド(価電子帯)の頂上から、最も低い空のバンド(伝導帯)の底までの間のエネルギー準位を指し、電子が存在することのできない領域。禁止帯、禁制帯とも。半導体素子は、このバンドギャップの性質を利用している。半導体では価電子帯の上のバンドギャップが狭く、温度などの変化で電子がギャップを飛び越えることが可能。
ばんどこうぞう
バンド構造
(electronic) band structure 導体、半導体、絶縁体における価電子帯、伝導帯、バンドギャップの構成。
ぴーえぬせつごう
PN 接合
p-n junction 一方がP型、もう一方がN型になるように接合された半導体結晶において、P型からN型へと移行する部分をこう呼ぶ。
ぴーがたはんどうたい
P 型半導体
p-type (positive) semiconductor 電圧がかけられるとホール(正孔)の移動によって電荷が運ばれる半導体であり、正電荷を持つ荷電粒子であるかのようにふるまう。たとえば、シリコン(4価)の結晶に、それより価電子の少ないホウ素(3価)原子を加えることにより生成。
ふぇるみじゅんい
フェルミ準位
Fermi level 電子のいる確率が50%になる場所のことで、電子がどこまで詰まっているかを示す。フェルミ準位がエネルギーバンドの中にあれば導体となり、バンドギャップの中にあれば絶縁体または半導体となる。
ふじゅんぶつ
不純物
dopant; doping agent ドーパントに同じ。
ふじゅんぶつはんどうたい
不純物半導体
extrinsic semiconductor 電気伝導性を高めるため真性半導体に不純物を添加したもので、伝導電子とホールの数のどちらが多いか(多数キャリア)によって型が決まり、ホールが多ければ P 型半導体、電子が多ければ N 型半導体になる。
ほーる
ホール
(electron) hole 価電子帯の電子が不足した状態。となりの電子を取ることで、電子が取られた場所が新たにホールとなり、これを繰り返すことで、あたかも「正の電荷をもった電子」のようにふるまう。正孔とも。
りょうし
量子
quantum 粒子と波の性質を持つ特殊な存在を説明するための呼称。ある物理量にそれ以上分割できない最小の単位があり、その物理量がすべてその整数倍(とびとびの値)として表されるとき、この最小単位をその物理量の量子という。量子を研究する学問を量子力学という。
れいき
励起
excitation; excite 原子や分子が外からエネルギーを与えられ、もとのエネルギーの低い安定した状態からエネルギーの高い状態へと移ること。





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