もはやビジネスに国境はなく、そこにはいろんな異なる業界があるだけ。英語で自分のビジネスを紹介する、会社案内やカタログを英語で翻訳してみる、業界の動向を英語で深く語る―そんなとき欠かせないのが専門用語。ここでは、エレクトロニクス関係(ダイオード関連)の英語用語を集めています。





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Last update July 5, 2015


Last update July 5, 2015

 トランジスタ関連  Transistor

日本語 英語 備考
あいじーびーてぃー
IGBT
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) MOSFETをゲート部に組み込んだバイポーラトランジスタで、MOSFETとバイポーラの長所を合わせ持っている。
えぬぴーえぬがたとらんじすた
NPN型トランジスタ
NPN transistor バイポーラトランジスタの1種で、P型半導体N型半導体でサンドイッチ構造にしたもの。
えぬもす
NMOS
NMOS (N-channel MOSFET) N型MOSFETのことで、ソースとドレインにN型半導体、ゲート下のチャネル領域にP型半導体を組み合わせたもの。
えみった
エミッタ
emitter バイポーラトランジスタの3つの端子の一つで、キャリアを放出する部分。
おーぷんこれくた
オープンコレクタ
open collector 電圧や電流を直接信号として出力するのではなく、NPNトランジスタのどこにも接続していないコレクタ端子を出力端子として使う方式のことで、主に集積回路(IC)やセンサーなどの出力部に用いられる。
げーと
ゲート
gate FETの端子の一つで、電圧をかけることで電子やホールの流れを制御する。接合型、MOS型、ショットキー型のゲート構造の種類がある。
これくた
コレクタ
collector バイポーラトランジスタの3つの端子の一つで、キャリアを受け取る部分。
これくたでんりゅう
コレクタ電流
base current バイポーラトランジスタにおいて、エミッタからコレクタに流れる電流。
さぶすとれーと
サブストレート
substrate 半導体素子を製造するときに、土台となるP型あるいはN型の半導体部分(基材)のこと。
しーもす
CMOS
CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) NMOSとPMOSの両方を相補形に配置したゲート構造を持つMOSFET。
すいっちんぐ
スイッチング
switching バイポーラトランジスタにおいて、エミッタ・ベース間のわずかな電流によってエミッタ・コレクタ間のより大きな電流を制御してスイッチングを行う。
ぜつえんげーとばいぽーらとらんじすた
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) IGBTに同じ。
せつごうがたふぇっと
接合型FET
junction FET ゲート部分がバイポーラトランジスタと同じように、PN接合になっており、接合面にできる空乏層によって電流を制御する。
ぞうふく
増幅
amplification バイポーラトランジスタにおいて、ベース・エミッタ間に電流を流すと、エミッタ・コレクタ間に何倍もの電流が流れる、あるいは、ベースからエミッタに流す電流をわずかに変化させるだけで、コレクタ・エミッタ間の電流が大きく変化することを利用して増幅を行う。
そーす
ソース
source FETの端子の一つで、キャリアの発生源。


ちゃねる
チャネル
channel FETにおいて、半導体中でキャリアが流れ、制御される部分。半導体と同様に、N型とP型の2種類があり、N型チャネルは導電に寄与するキャリアが電子、P型はホールの場合をいう。
でんかいこうかとらんじすた
電界効果トランジスタ
field effect transistor (FET) FETに同じ。
どれいん
ドレイン
drain FETの端子の一つで、キャリアが流れ出る先。
のーまりーおんがた
ノーマリーオン形
normally on type FETのうち、ゲート電圧をかけないときにチャネルが存在してドレイン電流が流れる種類を言い、ディプレッション形 (depletion type) とも。
のーまりーおふがた
ノーマリーオフ形
normally off type FETのうち、ゲート電圧をかけないときはチャネルが存在せず、ドレイン電流が流れない種類を言い、エンハンスメント形 (enhancement type) とも。
ばいぽーらとらんじすた
バイポーラトランジスタ
bipolar transistor; bipolar junction transistor (BJT) P型とN型の半導体を接合したもので、エミッタ、ベース、コレクタと呼ばれる端子を持つ。ベース・エミッタ間を流れる電流によって、コレクタ・エミッタ間の電流を制御する。単に「トランジスタ」といえば、このタイプを指すことが多い。ユニポーラトランジスタと異なり、キャリアを2種類持つためバイポーラと呼ばれる。
ぱわーとらんじすた
パワートランジスタ
power transistor とくに大電力の制御を行うものをこう呼ぶ。
ぱわーもすふぇっと
パワーMOSFET
power MOSFET 大電力の制御を行うため設計されたMOSFET。 パワーデバイスであり、スイッチング電源や、DC-DCコンバータなどに用いられる。
ぴーえぬぴーがたとらんじすた
PNP型トランジスタ
PNP transistor バイポーラトランジスタの1種で、N型半導体P型半導体でサンドイッチ構造にしたもの。
ぴーもす
PMOS
PMOS (P-channel MOSFET) P型MOSFETのことで、ソースとドレインにP型半導体、ゲート下のチャネル領域にN型半導体を組み合わせたもの。
ふぇっと
FET
FET (Field Effect Transistor) 普通のトランジスタが電子とホールによる電流制御の増幅素子であるのに対して、多数キャリアの1種類のみを使用するユニポーラトランジスタ。普通のトランジスタより応答速度が速く、入力抵抗が高い。P型半導体N型半導体を接合したもので、ソース、ゲート、ドレインの3つの端子を持ち、ゲート端子に電圧をかけることによってソース-ドレイン間を流れる電子またはホールの流れを制御する。
ふぉととらんじすた
フォトトランジスタ
phototransistor 一般のトランジスタと同様の構造を持つが、PN接合部に光が当たると、ベースからコレクタに電流が流れ、これが増幅されて大きな電流を流すことができる。
べーす
ベース
base バイポーラトランジスタの3つの端子の一つで、エミッタとコレクタに挟まれた部分。
べーすでんりゅう
ベース電流
base current バイポーラトランジスタにおいて、ベースからエミッタに流れる電流。
めすふぇっと
MESFET
MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) FETの一種。ショットキー接合の金属をゲートとして半導体上に形成。動作原理はJFETと同一。MOSFETがシリコンを使っているのに対して、化合物半導体を使用している。
もすふぇっと
MOSFET
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) FETの一種。金属(Metal)、酸化物(Oxide)、半導体(Semiconductor)の3重構造を持つ。シリコンなどの半導体基材の上に半導体の酸化物で絶縁膜を作り、その上に金属でゲート電極を重ねている。ソースとドレインに同じ性質の半導体、ゲートの真下にあるチャネル領域にその反対の性質を持つ半導体を配置。MISFET(Metal-Insulator-Semiconductor FET)もほぼ同義で使われる。
ゆにぽーらとらんじすた
ユニポーラトランジスタ
unipolar transistor 2種類のキャリアを持つバイポーラに比べて、1種類のキャリアしか用いないトランジスタの種類で、FETはこのひとつ。





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