もはやビジネスに国境はなく、そこにはいろんな異なる業界があるだけ。英語で自分のビジネスを紹介する、会社案内やカタログを英語で翻訳してみる、業界の動向を英語で深く語る―そんなとき欠かせないのが専門用語。ここでは、エレクトロニクス関係(ダイオード関連)の英語用語を集めています。





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Last update July 5, 2015


Last update July 5, 2015

 ダイオード関連  Diode

日本語 英語 備考
あばらんしぇこうふく
アバランシェ降伏
avalanche breakdown 電子が雪崩的に急増することから名づけられた現象で、ダイオードに逆方向の電圧をかけた際、ある一定の電圧を超えると電子が衝突電離を繰り返すことで大きな電流が流れること。
あのーど
アノード
anode 陰イオンの流れ込むほうの電極。ダイオードでは陽極、逆はカソード。
いちけんしゅつそし
位置検出素子
position sensitive detector (PSD) PSDに同じ。
えるいーでぃー
LED
LED (Light-Emitting Diode) 順方向に電圧をかけると、注入された電子とホールがPN接合部付近で再結合するが、このときのバンドギャップに相当するエネルギーが光として放出される。最近では困難とされていた青色ダイオードも実用化され、赤・青・緑の光の三原色がそろい、これらの組み合わせで白色を含む様々な色の光を作ることが可能。発光ダイオードとも。
かそーど
カソード
cathode 陽イオンの流れ込むほうの電極。ダイオードでは陰極。逆はアノード。
かへんようりょうだいおーど
可変容量ダイオード
variable capacitance diode 電圧を逆方向にかけた場合、その印加電圧によって空乏層の幅が変化することを利用し、コンデンサの働きをするダイオード。機械的な部分がないため信頼性が高い。バリキャップ、バラクタとも。
ぎゃくかいふくじかん
逆回復時間
reverse recovery time 順バイアスが与えられているオン状態で、逆バイアスが与えられても少数キャリア蓄積効果によって、一時的に逆方向に電流が流れることがあるが、この逆流が可能な時間をこう呼ぶ。
ぎゃくほうこうばいあす
逆方向バイアス
reverse bias ダイオードのアノード側に負電圧、カソード側に正電圧を印加することで、言い換えれば、N型半導体にホール、P型半導体に電子を供給すること。これにより、それぞれの半導体における多数キャリアは、ホールがマイナス側、電子がプラス側に引き付けられるので、結合部とは逆の方向に進み、半導体の中のキャリアがなくなり、電流が流れなくなる。逆バイアスとも。
ぎゃくたいあつ
逆耐圧
reverse voltage ダイオードに逆方向バイアス電圧を増加させると少数キャリアによる電流が急激に増加し、熱が発生しPN接合を破損してしまうため、これを防ぐために定められた限度。
きゃりあ
キャリア
(charge) carrier 電気の「運び屋」ということから、半導体中における伝導電子とホールを合わせてこう呼ぶ。電荷粒子、電荷担体、電荷キャリアとも。
くうぼうそう
空乏層
depletion layer 半導体のPN接合などにおいて、電子とホールが結合して消滅し、キャリアが存在しない電気的に絶縁された領域のこと。欠乏層とも。
こうふくでんあつ
降伏電圧
breakdown voltage 逆方向バイアスを増していった際に、ツェナー降伏やアバランシェ降伏を起こして急激に電流が流れるようになる電圧。ブレークダウン電圧とも。


さいけつごう
再結合
carrier generation and recombination 電子とホールが結合することで、LEDやレーザーダイオードなどにおいて不可欠な現象。
しょっときーしょうへき
ショットキー障壁
Schottky barrier 金属と半導体との接合によって生じる電気的な障壁のこと。
しょっときーせつごう
ショットキー接合
Schottky barrier junction 金属と半導体の間で整流作用を示す接合。電流の輸送が主に少数キャリアで行われるPN接合に対して、多数キャリアで行われるため、高速動作に優れている。ショットキーバリアダイオードの他、MESFETにも使われている。
しょっときーばりあだいおーど
ショットキーバリアダイオード
Schottky barrier diode 金属と半導体との接合によって生じるショットキー障壁を利用したダイオードで、逆回復時間がきわめて短く、超高速スイッチングなどに適している。
じゅんほうこうばいあす
順方向バイアス
forward bias ダイオードのアノード側に正電圧、カソード側に負電圧を印加することで、言い換えれば、N型半導体に電子、P型半導体にホールを供給すること。これにより、それぞれの半導体における多数キャリアは接合部に向かって進み、お互いのキャリアが出会い結合することで消滅し、電圧の供給を受けている間中これを繰り返す。これがアノードからカソードへ電流が流れる(カソードからアノードへ電子が流れる)状態である。順バイアスとも。
せいりゅう
整流
rectification 一方通行だけ電流が流れやすくなっている現象、あるいは、電流を一方向にしか流さない性質のことをいい、交流から直流への変換などに利用されている。
つぇなーこうふく
ツェナー降伏
zener breakdown 逆方向電圧が大きくなると、空乏層が非常に薄くなり、電子は空乏層をトンネル(接合部の障壁を通過)し、急激に電流が流れ始める現象。
つぇなーだいおーど
ツェナーダイオード
Zener diode ツェナー効果やアバランシェ効果を利用したダイオードで、逆方向の電圧を増加しても、ある電圧以上で電流だけが増加し、電圧はほぼ一定に保たれる特性があり、定電圧や基準電源を得るためによく使われる。定電圧ダイオードとも。
ていでんあつだいおーど
定電圧ダイオード
(voltage) reference diode ツェナーダイオードに同じ。
ていでんりゅうだいおーど
定電流ダイオード
current regulative diode 順方向電圧をかけた場合、電圧にかかわらず、一定の電流が得られるようにしたもの。
ばいあす
バイアス
bias PN接合に外部電圧をかけること、または、かけた外部電圧をこう呼ぶ。
はっこうだいおーど
発光ダイオード
Light-Emitting Diode (LED) LEDに同じ。
ばらくた
バラクタ
varactor diode 可変容量ダイオードに同じ。
ばりきゃっぷ
バリキャップ
variable capacitance diode 可変容量ダイオードに同じ。
ぴーあいえぬ(ぴん)だいおーど
PINダイオード
PIN (p-intrinsic-n) diode 一般的なPN接合ダイオードのP層とN層の間にI層と呼ばれる電気抵抗の大きな半導体層(真性半導体)をはさんだ3層構造で、少数キャリア蓄積効果を大きくし逆回復時間を長くしたもの。高周波回路でのスイッチング用に適している。
ぴーえすでぃー
PSD
PSD (Position Sensitive Detector) PIN構造をしている半導体表面に光のスポットを与えると、入射した光に比例した電荷が発生する素子。光電センサなどの受光素子として使用される。
ぴーえぬせつごう
PN接合
p-n junction 一方がP型、もう一方がN型になるように接合された半導体結晶において、P型からN型へと移行する部分をこう呼ぶ。
ぴーえぬせつごう(がた)だいおーど
PN接合(型)ダイオード
p-n junction diode PN接合の両端に電極をつけたダイオードをいい、P型側がアノード、N型側がカソード。P側に正電圧、N側に負電圧をかけるとP領域のホールとN領域の電子とは互いに反対の領域に侵入し、P側からN側へ電流が流れる。
ぴーえぬだいおーど
PNダイオード
p-n diode PN接合(型)ダイオードに同じ。
ひかりきでんりょくこうか
光起電力効果
photovoltaic effect 物質に光を照射することで起電力が発生する現象で、光電効果の一種。
ふぉとだいおーど
フォトダイオード
photo diode PN接合に光が入射すると、P領域にホール、N領域に電子が集まり電圧が生じる性質を利用したダイオードで、光の検出などに用いられる。
ほーる
ホール
(electron) hole 価電子帯の電子が不足した状態。となりの電子を取ることで、電子が取られた場所が新たにホールとなり、これを繰り返すことで、あたかも「正の電荷をもった電子」のようにふるまう。正孔とも。
れーざーだいおーど
レーザーダイオード
laser diode レーザー光線を発生させるダイオード。半導体のPN接合部に電子とホールを注入し、これらが再結合するときのバンドギャップに相当するエネルギーを光子の形で放出する。半導体の構成元素によって発振するレーザー光の波長が変わる。半導体レーザーとも。





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