| 日本語 |
英語 |
備考 |
あ行
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あくせぷた
アクセプタ |
acceptor |
ホウ素など、P型半導体を作るために真性半導体に添加する価数の少ない物質。 |
いんじうむりん
インジウムリン |
indium phosphide |
リン化インジウムのこと。インジウムとリンの化合物半導体で、発光ダイオード、半導体レーザなどの光系デバイスに利用される。元素記号は InP。 |
えぬがたはんどうたい
N型半導体 |
n-type (negative) semiconductor |
電圧がかけられると伝導電子（自由電子）の移動によって電荷が運ばれる半導体。たとえば、シリコン（4価）の結晶に、それより価電子の多いリンやヒ素（5価）原子を加えることにより生成。 |
えねるぎーぎゃっぷ
エネルギーギャップ |
energy gap |
バンドギャップに同じ。 |
えねるぎーじゅんい
エネルギー準位 |
energy level |
電子は粒子であるとともに波でもあるという量子としてとらえた場合に説明できる概念。原子における電子軌道が持つエネルギーのことで、原子核に近い順からエネルギーが低い。電子の座席とたとえることができ、電子はエネルギー準位の低い軌道から占有していく。言い換えれば、軌道にある電子の取りうるエネルギーであり、量子であるため「とびとび」の値を取るのが特徴。 |
えねるぎーばんど
エネルギーバンド |
energy band |
N 個の原子を集めて固体ができたときに、エネルギー準位が N 本に分裂、連続的に分布し幅を持ちバンド（帯）状になったものをいう。 |
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か行
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かごうぶつはんどうたい
化合物半導体 |
compound semiconductor |
2つ以上の原子がイオン結合により結合してできる半導体。陽イオンと陰イオンとの強い静電引力によって絶縁体となるが、組み合わせによっては、静電引力が弱く半導体となることを利用。III-V 族半導体、II-VI 族半導体がある。 |
かでんし
価電子 |
valence electron |
原子内の最外殻の電子殻をまわっている電子のこと。最外殻電子とも。 |
かでんしたい
価電子帯 |
valence band |
絶縁体や半導体において、価電子によって満たされたエネルギーバンドのこと。 |
がりうむひそ
ガリウムヒ素 |
gallium arsenide |
ヒ化ガリウムのこと。ガリウムと砒素の化合物半導体で、発光ダイオード、半導体レーザなどの光系デバイスに利用される。元素記号は GaAs。 |
きゃりあ
キャリア |
(charge) carrier |
電気の「運び屋」ということから、半導体中における伝導電子とホールを合わせてこう呼ぶ。電荷粒子、電荷担体、電荷キャリアとも。 |
きんしたい、きんせいたい
禁止帯、禁制帯 |
band gap |
バンドギャップに同じ。 |
半導体関連 
