| 日本語 |
英語 |
備考 |
さ行
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さいけつごう
再結合 |
carrier generation and recombination |
電子とホールが結合することで、LED やレーザーダイオードなどにおいて不可欠な現象。 |
しょっときーしょうへき
ショットキー障壁 |
Schottky barrier |
金属と半導体との接合によって生じる電気的な障壁のこと。 |
しょっときーせつごう
ショットキー接合 |
Schottky barrier junction |
金属と半導体の間で整流作用を示す接合。電流の輸送が主に少数キャリアで行われる PN 接合に対して、多数キャリアで行われるため、高速動作に優れている。ショットキーバリアダイオードの他、MESFETにも使われている。 |
しょっときーばりあだいおーど
ショットキーバリアダイオード |
Schottky barrier diode |
金属と半導体との接合によって生じるショットキー障壁を利用したダイオードで、逆回復時間がきわめて短く、超高速スイッチングなどに適している。 |
じゅんほうこうばいあす
順方向バイアス |
forward bias |
ダイオードのアノード側に正電圧、カソード側に負電圧を印加することで、言い換えれば、N 型半導体に電子、P 型半導体にホールを供給すること。これにより、それぞれの半導体における多数キャリアは接合部に向かって進み、お互いのキャリアが出会い結合することで消滅し、電圧の供給を受けている間中これを繰り返す。これがアノードからカソードへ電流が流れる（カソードからアノードへ電子が流れる）状態である。順バイアスとも。 |
せいりゅう
整流 |
rectification |
一方通行だけ電流が流れやすくなっている現象、あるいは、電流を一方向にしか流さない性質のことをいい、交流から直流への変換などに利用されている。 |
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た行
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つぇなーこうふく
ツェナー降伏 |
zener breakdown |
逆方向電圧が大きくなると、空乏層が非常に薄くなり、電子は空乏層をトンネル（接合部の障壁を通過）し、急激に電流が流れ始める現象。 |
つぇなーだいおーど
ツェナーダイオード |
Zener diode |
ツェナー効果やアバランシェ効果を利用したダイオードで、逆方向の電圧を増加しても、ある電圧以上で電流だけが増加し、電圧はほぼ一定に保たれる特性があり、定電圧や基準電源を得るためによく使われる。定電圧ダイオードとも。 |
ていでんあつだいおーど
定電圧ダイオード |
(voltage) reference diode |
ツェナーダイオードに同じ。 |
ていでんりゅうだいおーど
定電流ダイオード |
current regulative diode |
順方向電圧をかけた場合、電圧にかかわらず、一定の電流が得られるようにしたもの。 |
ダイオード関連 
