ビジネス英語用語集―トランジスタ関連2

トランジスタ関連 Transistor

日本語	英語	備考
な行
のーまりーおんがたノーマリーオン形	normally on type	FET のうち、ゲート電圧をかけないときにチャネルが存在してドレイン電流が流れる種類を言い、ディプレッション形 (depletion type) とも。
のーまりーおふがたノーマリーオフ形	normally off type	FET のうち、ゲート電圧をかけないときはチャネルが存在せず、ドレイン電流が流れない種類を言い、エンハンスメント形 (enhancement type) とも。
は行
ばいぽーらとらんじすたバイポーラトランジスタ	bipolar transistor; bipolar junction transistor (BJT)	P 型と N 型の半導体を接合したもので、エミッタ、ベース、コレクタと呼ばれる端子を持つ。ベース・エミッタ間を流れる電流によって、コレクタ・エミッタ間の電流を制御する。単に「トランジスタ」といえば、このタイプを指すことが多い。ユニポーラトランジスタと異なり、キャリアを2種類持つためバイポーラと呼ばれる。
ぱわーとらんじすたパワートランジスタ	power transistor	とくに大電力の制御を行うものをこう呼ぶ。
ぱわーもすふぇっとパワーMOSFET	power MOSFET	大電力の制御を行うため設計された MOSFET。パワーデバイスであり、スイッチング電源や、DC-DC コンバータなどに用いられる。
ぴーえぬぴーがたとらんじすた PNP型トランジスタ	PNP transistor	バイポーラトランジスタの1種で、N 型半導体をP型半導体でサンドイッチ構造にしたもの。
ぴーもす PMOS	PMOS (P-channel MOSFET)	P 型 MOSFET のことで、ソースとドレインにP 型半導体、ゲート下のチャネル領域にN 型半導体を組み合わせたもの。
ふぇっと FET	FET (Field Effect Transistor)	普通のトランジスタが電子とホールによる電流制御の増幅素子であるのに対して、多数キャリアの1種類のみを使用するユニポーラトランジスタ。普通のトランジスタより応答速度が速く、入力抵抗が高い。P 型半導体とN 型半導体を接合したもので、ソース、ゲート、ドレインの3つの端子を持ち、ゲート端子に電圧をかけることによってソース-ドレイン間を流れる電子またはホールの流れを制御する。
ふぉととらんじすたフォトトランジスタ	phototransistor	一般のトランジスタと同様の構造を持つが、PN 接合部に光が当たると、ベースからコレクタに電流が流れ、これが増幅されて大きな電流を流すことができる。
べーすベース	base	バイポーラトランジスタの3つの端子の一つで、エミッタとコレクタに挟まれた部分。
べーすでんりゅうベース電流	base current	バイポーラトランジスタにおいて、ベースからエミッタに流れる電流。
ま行
めすふぇっと MESFET	MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor)	FET の一種。ショットキー接合の金属をゲートとして半導体上に形成。動作原理は JFET と同一。MOSFET がシリコンを使っているのに対して、化合物半導体を使用している。
もすふぇっと MOSFET	MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)	FET の一種。金属（Metal）、酸化物（Oxide）、半導体（Semiconductor）の3重構造を持つ。シリコンなどの半導体基材の上に半導体の酸化物で絶縁膜を作り、その上に金属でゲート電極を重ねている。ソースとドレインに同じ性質の半導体、ゲートの真下にあるチャネル領域にその反対の性質を持つ半導体を配置。MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor FET) もほぼ同義で使われる。
や行
ゆにぽーらとらんじすたユニポーラトランジスタ	unipolar transistor	2種類のキャリアを持つバイポーラに比べて、1種類のキャリアしか用いないトランジスタの種類で、FET はこのひとつ。

エレクトロニクス英語用語集

Electronics Terms